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STP7N65M2

Modelo do Produto : STP7N65M2
Fabricante / Marca : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 36066 pcs
Fichas de dados STP7N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220
Série MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 60W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes 497-15041-5
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 650V
Descrição detalhada N-Channel 650V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
STP7N65M2
STMicroelectronics STMicroelectronics as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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