| Modelo do Produto : | TK72E12N1,S1X |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição : | MOSFET N CH 120V 72A TO-220 |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 13561 pcs |
| Fichas de dados | TK72E12N1,S1X.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220-3 |
| Série | U-MOSVIII-H |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4.4 mOhm @ 36A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 255W (Tc) |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
| Outros nomes | TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1S1X |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8100pF @ 60V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 120V |
| Descrição detalhada | N-Channel 120V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 72A (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
