Modelo do Produto : | TK9A45D(STA4,Q,M) |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição : | MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 19060 pcs |
Fichas de dados | TK9A45D(STA4,Q,M).pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220SIS |
Série | π-MOSVII |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 770 mOhm @ 4.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 40W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack |
Outros nomes | TK9A45D(STA4QM) TK9A45DSTA4QM |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 450V |
Descrição detalhada | N-Channel 450V 9A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |